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合并PIN肖特基結(jié)構(gòu)可帶來(lái)更高的穩(wěn)健性和效率

奈梅亨，2023年4月20日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650 V SiC肖特基二極管滿足工業(yè)級(jí)器件標(biāo)準(zhǔn)，可應(yīng)對(duì)高電壓和高電流應(yīng)用帶來(lái)的挑戰(zhàn)，包括開(kāi)關(guān)模式電源、AC－DC和DC－DC轉(zhuǎn)換器、電池充電基礎(chǔ)設(shè)施、不間斷電源和光伏逆變器，并提高持續(xù)運(yùn)行性能。例如，相比僅使用硅基解決方案的數(shù)據(jù)中心，配備采用Nexperia PSC1065K SiC肖特基二極管設(shè)計(jì)電源的數(shù)據(jù)中心將更加符合嚴(yán)格的能源效率標(biāo)準(zhǔn)。

PSC1065K具備不受溫度影響的電容開(kāi)關(guān)和零恢復(fù)性能，提供先進(jìn)的性能以及出色的品質(zhì)因數(shù)（QC x VF）。其突出的開(kāi)關(guān)性能幾乎不受電流和開(kāi)關(guān)速度變化的影響。PSC1065K的合并PIN肖特基（MPS）結(jié)構(gòu)還具備其他優(yōu)勢(shì)，例如出色的浪涌電流耐受能力，從而無(wú)需額外的保護(hù)電路。這些特性可顯著降低系統(tǒng)復(fù)雜性，使硬件設(shè)計(jì)人員能夠在耐用型高功率應(yīng)用中，以更小的外形尺寸實(shí)現(xiàn)更高的效率。Nexperia作為一系列高質(zhì)量半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的供應(yīng)商，聲譽(yù)良好，值得設(shè)計(jì)人員信賴。

這款SiC肖特基二極管采用真2引腳（R2P） TO－220－2通孔電源塑料封裝。其他封裝選項(xiàng)包括表面貼裝（DPAK R2P和D2PAK R2P）和采用真2引腳配置的通孔（TO－247－2）封裝，可在高達(dá)175°C的高壓應(yīng)用中增強(qiáng)可靠性。

Nexperia SiC產(chǎn)品組高級(jí)總監(jiān)Katrin Feurle表示：“在當(dāng)前可用的解決方案中，我們提供的高性能SiC肖特基二極管表現(xiàn)優(yōu)異，對(duì)此我們倍感自豪。隨著人們的能源意識(shí)日漸增強(qiáng)，我們正致力于為市場(chǎng)帶來(lái)更多選擇和便利性，以滿足市場(chǎng)對(duì)高容量、高效率應(yīng)用顯著增加的需求?！?/p>

Nexperia計(jì)劃不斷增加其SiC二極管產(chǎn)品組合，包括工作電壓為650 V和1200 V、電流范圍為6－20 A的和車(chē)規(guī)級(jí)器件。新款SiC二極管現(xiàn)可提供樣品，并于近日開(kāi)始量產(chǎn)。

關(guān)于Nexperia

Nexperia，作為半導(dǎo)體基礎(chǔ)器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類(lèi)電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付1000多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品符合汽車(chē)行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業(yè)廣泛認(rèn)可，擁有先進(jìn)的小尺寸封裝技術(shù)，可有效節(jié)省功耗及空間。

憑借幾十年來(lái)的專業(yè)經(jīng)驗(yàn)，Nexperia持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質(zhì)企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務(wù)，并在亞洲、歐洲和美國(guó)擁有超過(guò)14，000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司（600745．SS）的子公司，擁有龐大的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001認(rèn)證。