美國(guó)一項(xiàng)新研究顯示，用低強(qiáng)度電流刺激大腦特定區(qū)域，可以增強(qiáng)人類的言語(yǔ)短時(shí)記憶。

由美國(guó)梅奧診所領(lǐng)銜的研究小組在新一期英國(guó)《腦》雜志上報(bào)告說(shuō)，大腦中的海馬體、海馬新皮層、前額葉皮層和顳葉皮層是專門(mén)用于記憶事實(shí)性信息的區(qū)域，研究人員重點(diǎn)研究了電刺激對(duì)大腦中這4個(gè)區(qū)域的影響。

研究人員選取了22名經(jīng)常會(huì)有記憶障礙問(wèn)題的癲癇患者，并把所有患者按接受電刺激的大腦區(qū)域分成4組。研究人員首先要求患者逐個(gè)念出電腦屏幕上的一組單詞，并在此期間對(duì)患者大腦施加低強(qiáng)度電流刺激。隨后，讓患者嘗試回憶剛才看到的單詞。

結(jié)果發(fā)現(xiàn)，大腦外側(cè)顳葉皮層，即頭兩側(cè)太陽(yáng)穴和耳朵邊的區(qū)域接受電刺激的4位患者能夠記住更多單詞，而其他大腦區(qū)域接受電刺激的患者則沒(méi)有表現(xiàn)出記憶力提升。

研究人員表示，這一發(fā)現(xiàn)有可能會(huì)促使新的電刺激設(shè)備出現(xiàn)，幫助治療記憶和認(rèn)知缺陷。但他們也指出，這項(xiàng)研究仍存在一些局限性，例如某些治療疼痛及癲癇的藥物等對(duì)結(jié)果可能有影響。

研究合作者之一、梅奧診所的研究人員布倫特·貝里指出，該研究項(xiàng)目接下來(lái)將繼續(xù)研究如何更好地應(yīng)用電流刺激，例如確定施加電刺激的具體位置、時(shí)間控制及限制因素。